AQX IRF7416TRPBF Новая и оригинальная интегральная микросхема IRF7416TRPBF
Атрибуты продукта
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Категория | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные |
Производитель | Инфинеон Технологии |
Ряд | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Диги-Рил® |
Статус продукта | Активный |
Тип полевого транзистора | P-канал |
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10А (Та) |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4,5 В, 10 В |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 20 мОм при 5,6 А, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 250 мкА |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 92 нК при 10 В |
ВГС (Макс) | ±20 В |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1700 пФ при 25 В |
Особенность полевого транзистора | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2,5 Вт (Та) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет устройств поставщика | 8-СО |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) |
Базовый номер продукта | IRF7416 |
Документы и СМИ
ТИП РЕСУРСА | СВЯЗЬ |
Таблицы данных | IRF7416PbF |
Другие сопутствующие документы | ИК-система нумерации деталей |
Модули обучения по продуктам | Интегральные схемы высокого напряжения (драйверы затворов HVIC) |
Рекомендуемый продукт | Системы обработки данных |
HTML-таблица данных | IRF7416PbF |
Модели ЭДА | IRF7416TRPBF от Ultra Librarian |
Имитационные модели | Модель сабли IRF7416PBF |
Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) |
Статус REACH | REACH не затронут |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.29.0095 |
Дополнительные ресурсы
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Другие имена | IRF7416TRPBFDKR СП001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Стандартный пакет | 4000 |
IRF7416
Преимущества
Плоская ячеистая структура для широкой SOA
Оптимизирован для максимальной доступности у партнеров-дистрибьюторов.
Квалификация продукта по стандарту JEDEC
Кремний оптимизирован для приложений, переключающихся ниже <100 кГц
Стандартный блок питания для поверхностного монтажа
Возможность пайки волновой пайкой
-30 В одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET в корпусе SO-8
Преимущества
Соответствует RoHS
Низкий RDS (вкл.)
Лучшее в отрасли качество
Динамический рейтинг dv/dt
Быстрое переключение
Полностью лавинный рейтинг
175°C Рабочая температура
P-канальный МОП-транзистор
Транзистор
Транзистор – этополупроводниковый приборпривыкшийусиливатьиливыключательэлектрические сигналы ивласть.Транзистор является одним из основных строительных блоков современныхэлектроника.[1]Он состоит изполупроводниковый материал, обычно не менее трехтерминалыдля подключения к электронной схеме.АНапряжениеилитекущийприложенный к одной паре выводов транзистора, контролирует ток через другую пару выводов.Поскольку управляемая (выходная) мощность может быть выше управляющей (входной) мощности, транзистор может усиливать сигнал.Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но гораздо больше транзисторов встроено в корпус.интегральные схемы.
Австро-Венгерский физик Юлиус Эдгар Лилиенфельдпредложил концепциюполевой транзисторв 1926 году, но реально сконструировать работающее устройство на тот момент не удалось.[2]Первым работающим устройством, которое было построено, былточечный транзисторизобретен в 1947 году американскими физикамиДжон БардиниУолтер Браттейнво время работы подУильям ШокливБелл Лаборатории.Все трое разделили 1956 год.Нобелевская премия по физикедля их достижения.[3]Наиболее широко используемый тип транзистора —полевой транзистор металл-оксид-полупроводник(МОП-транзистор), который был изобретенМохамед АталлаиДавон Канв Bell Labs в 1959 году.[4][5][6]Транзисторы произвели революцию в области электроники и проложили путь к меньшим и дешевым устройствам.радиоприемники,калькуляторы, икомпьютеры, среди прочего.
Большинство транзисторов изготавливаются из очень чистогокремнийи некоторые изгерманий, но иногда используются и некоторые другие полупроводниковые материалы.Транзистор может иметь только один вид носителей заряда (в полевых транзисторах) или два типа носителей заряда (в полевых транзисторах).биполярный транзисторустройства.По сравнению свакуумная трубаТранзисторы, как правило, меньше по размеру и требуют меньше энергии для работы.Некоторые электронные лампы имеют преимущества перед транзисторами при очень высоких рабочих частотах или высоких рабочих напряжениях.Многие типы транзисторов производятся в соответствии со стандартизированными спецификациями несколькими производителями.