Совершенно новые оригинальные электронные компоненты IC Chip IRF3205STLRBF Интегральные схемы
Атрибуты продукта
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные |
| Производитель | Инфинеон Технологии |
| Ряд | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Диги-Рил® |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 110А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10 В |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 8 мОм при 62 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 146 нК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3247 пФ при 25 В |
| Особенность полевого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200 Вт (Тс) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет устройств поставщика | Д2ПАК |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 отведения + вкладка), TO-263AB |
| Базовый номер продукта | IRF3205 |
Документы и СМИ
| ТИП РЕСУРСА | СВЯЗЬ |
| Таблицы данных | IRF3205(S,L)ПбФ |
| Другие сопутствующие документы | ИК-система нумерации деталей |
| Модули обучения по продуктам | Интегральные схемы высокого напряжения (драйверы затворов HVIC) |
| Рекомендуемый продукт | Системы обработки данных |
| HTML-таблица данных | IRF3205(S,L)ПбФ |
| Модели ЭДА | IRF3205STLRBF от SnapEDA |
| Имитационные модели | Модель сабли IRF3205SPBF |
Экологические и экспортные классификации
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) |
| Статус REACH | REACH не затронут |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
Дополнительные ресурсы
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Другие имена | IRF3205STRLPBF-ND СП001576758 IRF3205STRLPBFTR IRF3205STRLPBFDKR IRF3205STRLPBFCT |
| Стандартный пакет | 800 |
Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое обычно используется в усилителях или переключателях с электронным управлением.Транзисторы являются основными строительными блоками, которые регулируют работу компьютеров, мобильных телефонов и всех других современных электронных схем.
Благодаря высокой скорости отклика и высокой точности транзисторы можно использовать для выполнения широкого спектра цифровых и аналоговых функций, включая усиление, переключение, регулирование напряжения, модуляцию сигнала и генератор.Транзисторы могут быть упакованы индивидуально или на очень небольшой площади, способной вместить 100 миллионов или более транзисторов как часть интегральной схемы.
По сравнению с электронной лампой транзистор имеет множество преимуществ:
1.Компонент не потребляет
Какой бы хорошей ни была трубка, она постепенно придет в негодность из-за изменения атомов катода и хронической утечки воздуха.По техническим причинам транзисторы столкнулись с той же проблемой, когда они были впервые созданы.Благодаря развитию материалов и усовершенствованиям во многих аспектах транзисторы обычно служат в 100–1000 раз дольше, чем электронные лампы.
2. Потребляйте очень мало энергии
Это всего лишь одна десятая или десятки одной электронной трубки.Для производства свободных электронов не требуется нагревать нить накала, как в электронной трубке.Транзисторному радио требуется всего несколько сухих батареек для прослушивания в течение шести месяцев в году, что сложно сделать для лампового радиоприемника.
3. Нет необходимости предварительно нагревать
Работайте сразу после включения.Например, транзисторный радиоприемник выключается, как только его включают, а транзисторный телевизор устанавливает изображение, как только его включают.Ламповое оборудование не может этого сделать.После загрузки подождите некоторое время, чтобы услышать звук, увидеть картинку.Очевидно, что в военной сфере, измерениях, записи и т. д. транзисторы очень выгодны.
4.Сильный и надежный
В 100 раз надежнее электронной трубки, ударопрочность, виброустойчивость, несравнимая с электронной лампой.Кроме того, размер транзистора составляет всего от одной десятой до одной сотой размера электронной трубки, выделение тепла очень мало, и его можно использовать для проектирования небольших, сложных и надежных схем.Хотя процесс производства транзисторов точен, он прост, что способствует повышению плотности установки компонентов.
