IPD068P03L3G новые оригинальные электронные компоненты IC чип MCU BOM сервис на складе IPD068P03L3G
Атрибуты продукта
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Категория | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные |
Производитель | Инфинеон Технологии |
Ряд | ОптиМОС™ |
Упаковка | Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Диги-Рил® |
Статус продукта | Активный |
Тип полевого транзистора | P-канал |
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70А (Тс) |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4,5 В, 10 В |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6,8 мОм при 70 А, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2 В при 150 мкА |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 91 нК при 10 В |
ВГС (Макс) | ±20 В |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7720 пФ при 15 В |
Особенность полевого транзистора | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 100 Вт (Тс) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (ТДж) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет устройств поставщика | ПГ-ТО252-3 |
Пакет/кейс | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
Базовый номер продукта | IPD068 |
Документы и СМИ
ТИП РЕСУРСА | СВЯЗЬ |
Таблицы данных | IPD068P03L3 Г |
Другие сопутствующие документы | Руководство по номерам деталей |
Рекомендуемый продукт | Системы обработки данных |
HTML-таблица данных | IPD068P03L3 Г |
Модели ЭДА | IPD068P03L3GATMA1 от Ultra Librarian |
Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) |
Статус REACH | REACH не затронут |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.29.0095 |
Дополнительные ресурсы
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Другие имена | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND СП001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Стандартный пакет | 2500 |
Транзистор
Транзистор – этополупроводниковый приборпривыкшийусиливатьиливыключательэлектрические сигналы ивласть.Транзистор является одним из основных строительных блоков современныхэлектроника.[1]Он состоит изполупроводниковый материал, обычно не менее трехтерминалыдля подключения к электронной схеме.АНапряжениеилитекущийприложенный к одной паре выводов транзистора, контролирует ток через другую пару выводов.Поскольку управляемая (выходная) мощность может быть выше управляющей (входной) мощности, транзистор может усиливать сигнал.Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но гораздо больше транзисторов встроено в корпус.интегральные схемы.
Австро-Венгерский физик Юлиус Эдгар Лилиенфельдпредложил концепциюполевой транзисторв 1926 году, но реально сконструировать работающее устройство на тот момент не удалось.[2]Первым работающим устройством, которое было построено, былточечный транзисторизобретен в 1947 году американскими физикамиДжон БардиниУолтер Браттейнво время работы подУильям ШокливБелл Лаборатории.Все трое разделили 1956 год.Нобелевская премия по физикедля их достижения.[3]Наиболее широко используемый тип транзистора —полевой транзистор металл-оксид-полупроводник(МОП-транзистор), который был изобретенМохамед АталлаиДавон Канв Bell Labs в 1959 году.[4][5][6]Транзисторы произвели революцию в области электроники и проложили путь к меньшим и дешевым устройствам.радиоприемники,калькуляторы, икомпьютеры, среди прочего.
Большинство транзисторов изготавливаются из очень чистогокремнийи некоторые изгерманий, но иногда используются и некоторые другие полупроводниковые материалы.Транзистор может иметь только один вид носителей заряда (в полевых транзисторах) или два типа носителей заряда (в полевых транзисторах).биполярный транзисторустройства.По сравнению свакуумная трубаТранзисторы, как правило, меньше по размеру и требуют меньше энергии для работы.Некоторые электронные лампы имеют преимущества перед транзисторами при очень высоких рабочих частотах или высоких рабочих напряжениях.Многие типы транзисторов производятся в соответствии со стандартизированными спецификациями несколькими производителями.