Чип Merrill, новый и оригинальный в наличии, электронные компоненты, интегральная схема IC IRFB4110PBF

Чип Merrill Новые и оригинальные электронные компоненты на складе, интегральная схема IC IRFB4110PBF Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Отправьте нам электронное письмо Скачать таблицу данных

Информация о продукте

Теги продукта

Атрибуты продукта

ТИП	ОПИСАНИЕ
Категория	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полевого транзистора	N-канал
Технологии	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	120А (Тс)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10 В
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	4,5 мОм при 75 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	210 нК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9620 пФ при 50 В
Особенность полевого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	370 Вт (Тс)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика	ТО-220АБ
Пакет/кейс	ТО-220-3
Базовый номер продукта	ИРФБ4110

Документы и СМИ

ТИП РЕСУРСА	СВЯЗЬ
Таблицы данных	IRFB4110PbF
Другие сопутствующие документы	ИК-система нумерации деталей
Модули обучения по продуктам	Интегральные схемы высокого напряжения (драйверы затворов HVIC)
Рекомендуемый продукт	Робототехника и автоматизированные управляемые транспортные средства (AGV) Системы обработки данных
HTML-таблица данных	IRFB4110PbF
Модели ЭДА	IRFB4110PBF от SnapEDA
Имитационные модели	Модель сабли IRFB4110PBF

Экологические и экспортные классификации

АТРИБУТ	ОПИСАНИЕ
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без ограничений)
Статус REACH	REACH не затронут
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095

Дополнительные ресурсы

АТРИБУТ

ОПИСАНИЕ

Другие имена

64-0076ПБФ-НД

64-0076ПБФ

СП001570598

Стандартный пакет

Семейство силовых МОП-транзисторов Strong IRFET™ оптимизировано для обеспечения низкого RDS(on) и высокого тока.Устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих производительности и надежности.Обширный портфель предназначен для широкого спектра применений, включая двигатели постоянного тока, системы управления батареями, инверторы и преобразователи постоянного тока.

Краткое описание функций
Стандартный силовой агрегат со сквозным отверстием
Сильноточный рейтинг
Квалификация продукта по стандарту JEDEC
Кремний, оптимизированный для приложений, переключающихся ниже <100 кГц
Более мягкий корпус диода по сравнению с предыдущим поколением кремния.
Доступно широкое портфолио

Преимущества
Стандартная распиновка позволяет заменить замену
Пакет выдерживаемых токов
Стандартный уровень квалификации
Высокая производительность в низкочастотных приложениях
Повышенная удельная мощность
Предоставляет разработчикам гибкость в выборе наиболее оптимального устройства для их применения.

Параметрики

Параметрика	ИРФБ4110
Бюджетная цена €/1 тыс.	1,99
ID (@25°C) макс.	180 А
Монтаж	ТТТ
Рабочая температура мин макс	-55 °С 175 °С
Pобщ макс.	370 Вт
Упаковка	ТО-220
Полярность	N
QG (типично при 10 В)	150 нК
Кгд	43 нК
RDS (вкл.) (@10 В) макс.	4,5 мОм
RthJC макс.	0,4 К/Вт
Tj макс.	175 °С
ВДС макс.	100 В
VGS(th) мин макс	3 В 2 В 4 В
ВГС макс.	20 В

Дискретные полупроводниковые изделия

К дискретным полупроводниковым изделиям относятся отдельные транзисторы, диоды и тиристоры, а также небольшие их массивы, состоящие из двух, трех, четырех или другого небольшого количества подобных устройств в одном корпусе.Они чаще всего используются для построения цепей со значительным напряжением или током или для реализации самых простых функций схемы.

Предыдущий: Предложение по спецификации Электронные компоненты Драйвер IC Chip IR2103STRPBF

Следующий: Новая оригинальная интегральная схема BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip

Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам