-
IPD031N06L3G новые оригинальные электронные компоненты микросхема MCU BOM сервис на складе IPD031N06L3G
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 60 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 100 А (Tc) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ Id, Vgs 3,1 мОм при 100А... -
IMZA65R072M1H Микросхемы Транзисторы Электронные компоненты Интегральная схема Конденсатор IMZA65R072M1H
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies – корпусная трубка Статус продукта Тип активного полевого транзистора – технология – ток – непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Tc) Напряжение возбуждения (макс. Rds) On, Min Rds On) - Rds On (Макс) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Макс) @ Id - Vgs (Макс) - Функция FET - Рассеиваемая мощность (Макс) - Рабочая температура - Базовый номер продукта IMZA6.. . -
Список спецификаций IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Интегральная схема
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретные полупроводниковые изделия Диоды – Выпрямители – Массивы Производитель Infineon Technologies Серия Rapid 2 Package Tube Статус продукта Конфигурация активного диода 1 пара с общим катодом Тип диода Стандартное напряжение — постоянное обратное (Вr) (макс.) 650 В Ток — средний выпрямленный ( Io) (на диод) Напряжение 15 А – прямое (Vf) (макс.) @ Если 2,2 В @ 15 A Скорость быстрого восстановления = < 500 нс, > 200 мА (Io) Обратное восстановление... -
KWM Оригинальный новый транзистор BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Интегральная микросхема на складе
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 60 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 40 А (Tc) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 6 В, 10 В Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10 мОм @ 20А, 10В... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC чип новая оригинальная интегральная схема
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 25 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 12 А (Ta), 40 А (Tc) Напряжение возбуждения (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ ID, Vgs 6мОм... -
(В наличии) BSS138NH6327 новые и оригинальные электронные компоненты, горячий продукт
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология MOSFET (оксид металла) ) Напряжение стока-источника (Vdss) Ток 60 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 230 мА (Ta) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ Id, Vgs 3,5 Ом при 230 мА... -
Оригинальный новый в наличии МОП-транзистор, диод, тиристор SOT-223 BSP125H6327, микросхема, электронный компонент
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология MOSFET (оксид металла) ) Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток 600 В – непрерывный сток (Id) при 25°C 120 мА (Ta) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ Id, Vgs 45 Ом @ 120 мА... -
Совершенно новый оригинальный MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 30 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 23 А (Ta), 100 А (Tc) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ Id, Vgs 2,8м... -
Новая интегральная схема на складе TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 IC Chip
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 100 В – непрерывный сток (Id) при 25°C 8,8 А (Ta), 42 А (Tc) Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. показания вкл.) 6 В, 10 В Rds вкл. (макс.) @ Идентификатор, Vgs 16мОх... -
Новая и оригинальная интегральная схема BSC100N06LS3G.
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 60 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 12 А (Ta), 50 А (Tc) Напряжение возбуждения (макс. Rds On, мин. Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (макс.) @ Идентификатор, Vgs 10мОх... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic Chip Оригинальный электронный компонент
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток 100 В — непрерывный сток (Id) при 25°C 90 А (Tc) Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) 6 В, 10 В Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7 мОм @ 50А, 10В... -
AQX BSC060N10NS3G Новая и оригинальная интегральная микросхема BSC060N10NS3G Характеристики продукта
Атрибуты продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретная полупроводниковая продукция Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные MFR Серия Infineon Technologies OptiMOS™ Упаковка Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Digi-Reel® Статус продукта Активный тип полевого транзистора N-канальная технология МОП-транзистор (оксид металла) ) Напряжение стока к истоку (Vdss) Ток 100 В – непрерывный сток (Id) при 25°C 14,9 А (Ta), 90 А (Tc) Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. показания вкл.) 6 В, 10 В Rds вкл. (макс.) @ Id, Vgs 6мОх...
