Преимущество IRF100S201 Поставка на складе Новые оригинальные интеллектуальные микросхемы BOM Service для IRF100S201
Атрибуты продукта
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Категория | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – одиночные |
Производитель | Инфинеон Технологии |
Ряд | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Упаковка | Лента и катушка (TR) Разрезанная лента (CT) Диги-Рил® |
Статус продукта | Активный |
Тип полевого транзистора | N-канал |
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 192А (Тс) |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10 В |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4,2 мОм при 115 А, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 255 нК при 10 В |
ВГС (Макс) | ±20 В |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 9500 пФ при 50 В |
Особенность полевого транзистора | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 441 Вт (Тс) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (ТДж) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет устройств поставщика | ПГ-ТО263-3 |
Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 отведения + вкладка), TO-263AB |
Базовый номер продукта | ИРФ100 |
Документы и СМИ
ТИП РЕСУРСА | СВЯЗЬ |
Таблицы данных | ИРФ100(Б,С)201 |
Другие сопутствующие документы | ИК-система нумерации деталей |
Рекомендуемый продукт | Системы обработки данных |
HTML-таблица данных | ИРФ100(Б,С)201 |
Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) |
Статус REACH | REACH не затронут |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.29.0095 |
Дополнительные ресурсы
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Другие имена | ИРФ100С201КТ ИРФ100С201-НД СП001550868 ИФЕИНФИРФ100С201 ИРФ100С201ТР ИРФ100С201ДКР 2156-ИРФ100С201 |
Стандартный пакет | 800 |
Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое обычно используется в усилителях или переключателях с электронным управлением.Транзисторы являются основными строительными блоками, которые регулируют работу компьютеров, мобильных телефонов и всех других современных электронных схем.
Благодаря высокой скорости отклика и высокой точности транзисторы можно использовать для выполнения широкого спектра цифровых и аналоговых функций, включая усиление, переключение, регулирование напряжения, модуляцию сигнала и генератор.Транзисторы могут быть упакованы индивидуально или на очень небольшой площади, способной вместить 100 миллионов или более транзисторов как часть интегральной схемы.
По сравнению с электронной лампой транзистор имеет множество преимуществ:
1.Компонент не потребляет
Какой бы хорошей ни была трубка, она постепенно придет в негодность из-за изменения атомов катода и хронической утечки воздуха.По техническим причинам транзисторы столкнулись с той же проблемой, когда они были впервые созданы.Благодаря развитию материалов и усовершенствованиям во многих аспектах транзисторы обычно служат в 100–1000 раз дольше, чем электронные лампы.
2. Потребляйте очень мало энергии
Это всего лишь одна десятая или десятки одной электронной трубки.Для производства свободных электронов не требуется нагревать нить накала, как в электронной трубке.Транзисторному радио требуется всего несколько сухих батареек для прослушивания в течение шести месяцев в году, что сложно сделать для лампового радиоприемника.
3. Нет необходимости предварительно нагревать
Работайте сразу после включения.Например, транзисторный радиоприемник выключается, как только его включают, а транзисторный телевизор устанавливает изображение, как только его включают.Ламповое оборудование не может этого сделать.После загрузки подождите некоторое время, чтобы услышать звук, увидеть картинку.Очевидно, что в военной сфере, измерениях, записи и т. д. транзисторы очень выгодны.
4.Сильный и надежный
В 100 раз надежнее электронной трубки, ударопрочность, виброустойчивость, несравнимая с электронной лампой.Кроме того, размер транзистора составляет всего от одной десятой до одной сотой размера электронной трубки, выделение тепла очень мало, и его можно использовать для проектирования небольших, сложных и надежных схем.Хотя процесс производства транзисторов точен, он прост, что способствует повышению плотности установки компонентов.