order_bg

продукты

Новые оригинальные XC7K160T-1FBG676I Inventory Spot Ic Chip Интегральные схемы

Краткое описание:


Информация о продукте

Теги продукта

Атрибуты продукта

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Интегральные схемы (ИС)

Встроенный

FPGA (программируемая пользователем вентильная матрица)

Производитель AMD Ксилинкс
Ряд Кинтекс®-7
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Количество LAB/CLB 12675
Количество логических элементов/ячеек 162240
Всего бит ОЗУ 11980800
Количество входов/выходов 400
Напряжение – Питание 0,97 В ~ 1,03 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Рабочая Температура -40°C ~ 100°C (ТДж)
Пакет/кейс 676-ББГА, ФКБГА
Пакет устройств поставщика 676-FCBGA (27×27)
Базовый номер продукта ХС7К160

Сообщить об ошибке информации о продукте

Посмотреть похожие

Документы и СМИ

ТИП РЕСУРСА СВЯЗЬ
Таблицы данных Техническое описание ПЛИС Kintex-7

Обзор FPGA серии 7

Краткое описание ПЛИС Kintex-7

Модули обучения по продуктам Питание ПЛИС Xilinx Series 7 с помощью решений TI Power Management Solutions
Экологическая информация Сертификат Xiliinx RoHS

Сертификат Xilinx REACH211

Рекомендуемый продукт Серия TE0741 с Xilinx Kintex®-7
Проектирование/спецификация PCN Уведомление о перекрестной отправке продуктов без содержания свинца, 31 октября 2016 г.

Изменение материалов для разработчиков, 16 декабря 2019 г.

HTML-таблица данных Краткое описание ПЛИС Kintex-7

Экологические и экспортные классификации

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 4 (72 часа)
Статус REACH REACH не затронут
ECCN 3A991D
ХТСУС 8542.39.0001

Интегральная схема

Интегральная схема или монолитная интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой наборэлектронные схемына одном небольшом плоском куске (или «чипе»)полупроводникматериал, обычнокремний.Большие числакрошечныхМОП-транзисторы(металл–оксид–полупроводникполевые транзисторы) интегрироваться в небольшой чип.Это приводит к созданию схем, которые на несколько порядков меньше, быстрее и дешевле, чем схемы, построенные на дискретных элементах.электронные компоненты.ICмассовое производствовозможности, надежность и комплексный подход кпроектирование интегральных схемобеспечил быстрое внедрение стандартизированных микросхем вместо конструкций, использующих дискретныетранзисторы.Сегодня микросхемы используются практически во всем электронном оборудовании и произвели революцию в мире.электроника.Компьютеры,мобильные телефоныи другиебытовая техникав настоящее время являются неотъемлемой частью структуры современного общества, что стало возможным благодаря небольшому размеру и низкой стоимости ИС, таких как современныекомпьютерные процессорыимикроконтроллеры.

Очень масштабная интеграциястал практическим благодаря технологическим достижениям вметалл–оксид–кремний(МОС)производство полупроводниковых приборов.С момента своего появления в 1960-х годах размер, скорость и емкость чипов значительно изменились благодаря техническим достижениям, которые позволили разместить все больше и больше МОП-транзисторов на чипах одного и того же размера – современный чип может содержать многие миллиарды МОП-транзисторов в одном корпусе. Площадь размером с человеческий ноготь.Эти достижения, примерно следуяЗакон Мура, сделать современные компьютерные чипы в миллионы раз более производительными и в тысячи раз более быстрыми, чем компьютерные чипы начала 1970-х годов.

ИС имеют два основных преимущества переддискретные схемы: стоимость и производительность.Стоимость низкая, поскольку чипы со всеми их компонентами печатаются как единое целое.фотолитографиявместо того, чтобы создавать по одному транзистору за раз.Более того, корпусные микросхемы используют гораздо меньше материала, чем дискретные схемы.Производительность высока, поскольку компоненты микросхемы быстро переключаются и потребляют сравнительно мало энергии из-за своего небольшого размера и близости.Основным недостатком микросхем является высокая стоимость их проектирования и изготовления необходимыхфотомаски.Такая высокая первоначальная стоимость означает, что микросхемы коммерчески жизнеспособны только тогда, когдавысокие объемы производстваожидаются.

Терминология[редактировать]

АнИнтегральная схемаопределяется как:[1]

Цепь, в которой все или некоторые элементы схемы неразрывно связаны и электрически связаны между собой, так что она считается неделимой для целей строительства и торговли.

Схемы, соответствующие этому определению, могут быть построены с использованием множества различных технологий, в том числетонкопленочные транзисторы,толстопленочные технологии, илигибридные интегральные схемы.Однако в общем использованииИнтегральная схемастало относиться к конструкции цельной схемы, первоначально известной какмонолитная интегральная схема, часто построенный на одном куске кремния.[2][3]

История

Первой попыткой объединить несколько компонентов в одном устройстве (например, в современных микросхемах) былаЛоу 3НФвакуумная лампа 1920-х годов.В отличие от микросхем, он был разработан с цельюуклонение от налогов, как и в Германии, на радиоприемники взимался налог, который взимался в зависимости от того, сколько держателей ламп было у радиоприемника.Это позволило радиоприемникам иметь один держатель трубки.

Ранние концепции интегральной схемы восходят к 1949 году, когда немецкий инженерВернер Якоби[4](Сименс АГ)[5]подала патент на полупроводниковое усилительное устройство, подобное интегральной схеме.[6]показаны пятьтранзисторына общей подложке в три этапаусилительдоговоренность.Якоби показал маленький и дешевыйслуховые аппаратыкак типичное промышленное применение его патента.О немедленном коммерческом использовании его патента не сообщалось.

Другим ранним сторонником этой концепции былДжеффри Даммер(1909–2002), учёный-радар, работавший вКоролевское радарное учреждениебританскойМинистерство обороны.Даммер представил эту идею публике на Симпозиуме по прогрессу в области качественных электронных компонентов вВашингтон7 мая 1952 года.[7]Он проводил множество симпозиумов публично для пропаганды своих идей и безуспешно пытался построить такую ​​схему в 1956 году. Между 1953 и 1957 годамиСидни Дарлингтони Ясуо Таруи (Электротехническая лаборатория) предложили аналогичные конструкции микросхем, в которых несколько транзисторов могли иметь общую активную область, но это не удалось.электрическая изоляциячтобы отделить их друг от друга.[4]

Монолитная интегральная схема появилась благодаря изобретениямплоский процесскЖан Эрнииизоляция p–n переходакКурт Леговец.Изобретение Эрни было основано наМохамед М. Аталлаработы по пассивации поверхности, а также работы Фуллера и Дитценбергера по диффузии примесей бора и фосфора в кремний,Карл Фроши работа Линкольна Дерика по защите поверхностей, а такжеЧи-Тан СахРаботы по диффузной маскировке оксидом.[8]


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам